題  目： GaN高頻電力電子變換器         

報告人： 張之梁 教授

時  間： 2018年6月6日（周三）15:00

地  點： 夢都大街50號江蘇省科技工作者活動中心三樓

主辦單位:  江蘇省高校科協、南京航空航天大學科協、南航青年教授學術交流聯誼會 

報告人簡介：

張之梁，南京航空航天大學自動化學院教授。目前研究方向為高頻電力電子與應用基礎研究。在IEEE電力電子期刊 (Trans. on Power Electron., 影響因子6.0) 發表SCI論文38篇 (第一作者25篇)；發表IEEE APEC, ECCE等國際會議論文62篇；論文累計他引1000余次；以第一作者身份撰寫英文專著 High Frequency MOSFET Gate Drivers: Technologies and Applications (IET出版)；在第一屆亞洲寬禁帶器件2018國際會議做大會報告；獲授權美國專利1項、中國發明專利10項。獲國家優秀青年科學基金、江蘇省杰出青年基金、教育部霍英東青年基金；入選“江蘇省333工程”、“江蘇省六大人才高峰”；主持國家級項目3項、省部級項目8項，主持軍工與企業研發類項目20余項。榮獲江蘇省科學技術獎二等獎 （排名第一）、第十八屆中國國際高新技術成果交易會“優秀產品”獎。

報告摘要：

從上個世紀70年代中期發展至今，傳統硅基半導體技術已達到其理論極限值。隨著寬禁帶(Wide Band Gap, WBG) 器件的迅速發展，業界推出新一代GaN器。GaN材料在很多特性上遠遠超過硅，GaN功率器件優點包括：性能系數 (FOM) 遠遠小于硅器件，驅動損耗和開關損耗僅為硅器件的約十分之一； GaN材料臨界電場更其更適合應用在高頻電路中等。報告將介紹GaN功率器件發展現狀、器件使用特點與挑戰、結合應用的GaN高頻電力電子電路與控制，展示GaN器件給電力電子應用帶來的優勢與前景。

注：沙龍結束后安排晚餐。本次活動采用網上預約限額模式，參加對象為全校師生。有意向參會的師生請于6月4日17點前掃描下方二維碼報名。報名參會的師生可于6月6日下午2：10在明故宮校區車隊乘車前往。

掃一掃，輕松報名！